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DOP-07AMJ抗静电高精度低漂移双运算放大器 PDF资料下载
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一.概述
    该电路是由两只OP07A芯片及保护元件组成的厚膜混合集成电路,主要电参数优于单片OP07A。特点是失调电压为10μV,失调电压温度系数为0.2μV/℃,长期稳定度为0.2μV/月,无需调零,无需外补偿和外接保护元件。
    主要应用于电子系统前置放大、误差放大、直流信号放大、直接耦合放大、仪表放大器、双路匹配放大等要求高精度、低漂移、高可靠及抗静电等信号处理的场合。尤其适用于国防、军用和石油勘探等领域中要求微型化的高性能仪器仪表中。其显著特点有:
    该器件具有优异的抗静电能力,静电放电损伤阈值电压大于4000V,达到了国军标Ⅲ级静电敏感度要求(普通OP07的静电损伤阈值电压约为700~1000V);
    器件的抗电浪涌性能比单片OP07A显著增强;
    有更低的输入失调电压,典型值约为几个μV,无需外调零;
    两个运算放大器的参数一致性好;
    采用A型外壳封装(表贴形式),外形尺寸为10.3mm×8.4mm,小于两个单片OP-07运算放大器的体积,节约了安装空间;
    最高工作温度达200℃。
二.电原理图(1/2DOP-07)
三.封装形式及引出端功能
    1.封装形式
A型封装(F08-04A)·顶视图
    2.引出端功能

引脚号

1

2

3

4

5

6

7

8

功能

OUTA

-INA

+INA

VEE

+INB

-INB

OUTB

VCC

四.绝对最大额定值
    电源电压                ±22V                        输入电压                 ±22V
    耗散功率                500mW                        工作温度范围             -55~+200℃
    输出短路持续时间        不限制
五.电特性
    除非另有说明,VCC=+15V,VEE=-15V,-55℃≤TA≤+125℃。

参数

符号

测试条件

规范值

单位

最小

典型

最大

输入失调电压

VIO

TA=+25℃

 

10

25

μV

 

 

20

80

输入失调电压温度漂移系数

αVIO

 

 

0.2

0.6

μV/℃

失调电压长时间稳定性
VIO/T
TA=+25℃  
0.2
1.0
μV/mo

输入失调电流

IIO

TA=+25℃

 

0.3

2.0

nA

 

 

0.8

4.0

输入偏置电流

IIB

TA=+25℃

 

±0.7

±2.0

nA

 

 

±1.0

±4.0

输入噪声电压密度*

en

TA=+25℃
fo=10Hz
fo=100Hz
fo=1000Hz

 


10.3
10.0
9.6


18.3
13.0
11.0


nv √Hz

输入噪声电压*

enp-p

TA=+25℃,0.1Hz~10Hz

 

0.35

0.6

μVp-p

输入噪声电流密度*

In

TA=+25℃
fo=10Hz
fo=100Hz
fo=1000Hz

 


0.32
0.14
0.12


0.80
0.23
0.17


pA √Hz

输入噪声电流*

Inp-p

TA=+25℃,0.1Hz~10Hz

 

14

30

PAp-p

差模输入电阻**

RIN

TA=+25℃

30

80

 

共模输入电阻**

RINCM

TA=+25℃

 

200

 

输入电压范围**

VIR

TA=+25℃

±13.0

±14.0

 

V

共模抑制比

CMRR

TA=+25℃,VCM=±13V

100

126

 

dB

电源电压抑制比

PSRR

TA=+25℃,VS=±13~±18V

100

110

 

dB

大信号电压增益

AVO

RL≥2KΩ

TA=+25℃

110

120

 

dB

 

100

110

 

最大输出电压幅度

Vop-p

RL≥10KΩ, TA=+25℃

±12.5

±13

 

V

RL≥2KΩ

±11

±12.5

 

压摆率*

SR

TA=+25℃, RL≥2KΩ

0.1

0.3

 

V/μS

闭环带宽*

BW

TA=+25℃, AVCL=+1.0

0.4

0.6

 

MHz

开环输出电阻*

RO

TA=+25℃, VO=0, IO=0

 

60

 

Ω

静态功耗
(单路运算放大器)

PD

TA=+25℃

VS=±15V

 

75

 

mW

VS=±3V

 

4

 

抗静电损伤阈值电压*

ESD

人身模型

 

5.5

 

kV

    *样品测试 **设计保证
六.200℃高温电特性
    VCC=+15V,VEE=-15V,TA=+200℃。

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

输入失调电压

VIO

 

 

50

250

μV

输入失调电流

IIO

 

 

1

10

nA

输入偏置电流

IIB

 

 

1

10

nA

开环电压增益

AVO

 

94

110

 

dB

共模抑制比

CMRR

VCM=±10V

88

100

 

dB

输出电压幅度

VOP-P

RL=2kΩ

±10

±12

 

V

电源电压抑制比

PSRR

 

94

110

 

dB

电源电流(单路运算放大器)

IS

RL=∞

 

4

6

mA

七.典型应用
    1.低VIO补偿放大器
    2.精密加法器
    注:
    1.应用时必须在正负电源对地加旁路电容C1、C2。
    2.输出电流控制在±10mA以内能够获得最佳的线性度。
    3.对于等效的电容负载大于500pF时,应在输出端与电容负载之间串接50Ω退耦电阻。
    4.应用时,加在器件两个输入端热的不匹配,潮汽、盐雾等外应力引起的等效输入电阻的不匹配,均能导致器件性能退化。
    5.在高温下应用时,PCB板碳化容易造成器件性能退化,应选用聚四氟乙烯基板。

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